晶片清洗用超純水機(jī)概述：

晶片清洗用超純水對(duì)TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴(yán)格，達(dá)到PPb級(jí)，產(chǎn)水水質(zhì)要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。

晶片清洗用超純水機(jī)工藝流程：

①反滲透純水設(shè)備

RO反滲透膜的工作原理是對(duì)水施加一定的壓力，使水分子和離子態(tài)的礦物質(zhì)元素通過(guò)一層反滲透膜，而溶解在水中的絕大部分無(wú)機(jī)鹽(包括重金屬)、有機(jī)物以及細(xì)菌、病毒等無(wú)法透過(guò)反滲透膜，從而透過(guò)的純水和無(wú)法透過(guò)的濃縮水嚴(yán)格的分開;

反滲透膜上的孔徑只有0.0001um，而病毒的直徑一般有0.02-0.4um，普通細(xì)菌的直徑有0.4-1um。 反滲透純水機(jī)的正常工作有賴于一定的壓力，這個(gè)壓力大于滲透膜的滲透壓，一般是2.8公斤/平方厘米。

在水壓或水壓不穩(wěn)定的地區(qū)，我們建議您一定要購(gòu)買有前段增壓泵的反滲透純水系統(tǒng)，它的工作壓力可達(dá)0.3-0.6Mpa，不受自來(lái)水壓限制，制水效率高,速度快、排濃縮水少。

反滲透有效的除鹽技術(shù)，一級(jí)反滲透設(shè)備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此純水系統(tǒng)產(chǎn)水品質(zhì)穩(wěn)定，是目前比較通用的純水生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)品質(zhì)基本滿足FPC/PCB生產(chǎn)需求。

②EDI電除鹽超純水系統(tǒng)

連續(xù)電除鹽(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization)，是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽(yáng)離子，同時(shí)這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下，分別透過(guò)陰陽(yáng)離子交換膜而被除去的過(guò)程。

這一過(guò)程離子交換樹脂是電連續(xù)再生的，因此不需要使用酸和堿對(duì)之再生。

這種新技術(shù)可以替代傳統(tǒng)的離子交換裝置，生產(chǎn)出高達(dá)18MΩ.CM的超純水。整個(gè)工藝流程前面的部分和常規(guī)的水處理工藝沒有很大區(qū)別，一般是先經(jīng)過(guò)預(yù)處理，然后加藥殺毒，再經(jīng)過(guò)RO反滲透系統(tǒng)，再使用EDI設(shè)備制取超純水。

晶片清洗用超純水機(jī)優(yōu)點(diǎn)：

半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測(cè)清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測(cè)封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長(zhǎng)用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測(cè)封裝用水。同時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)TOC的要求較高。

晶片清洗用超純水機(jī)特點(diǎn)介紹：

由于超純水設(shè)備的工藝是根據(jù)不同的入水水質(zhì)和出水要求而設(shè)計(jì)的，針對(duì)不同的原水水質(zhì)特點(diǎn)而設(shè)計(jì)超純水設(shè)備方案才是經(jīng)濟(jì)有效的方案，同時(shí)也是出水水質(zhì)長(zhǎng)期穩(wěn)定達(dá)到要求的保證。超純水設(shè)備由于用途不一樣，會(huì)有不同的制造流程，或有的把幾種工藝結(jié)合起來(lái)讓水質(zhì)達(dá)到預(yù)期的效果，按類別可大至分為以下幾種，比較常用的預(yù)處理系統(tǒng)，反滲透系統(tǒng)， EDI電除鹽超純水系統(tǒng)，精處理系統(tǒng)等。

EDI電除鹽超純水系統(tǒng)原理及特點(diǎn)：

(1)出水水質(zhì)具有穩(wěn)定性

(2)能連續(xù)生產(chǎn)出符合用戶要求的超純水

(3)模塊化生產(chǎn)，并可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制

(4)不需酸堿再生，無(wú)污水排放

(5)不會(huì)因再生而停機(jī)

(6)無(wú)需再生設(shè)備和化學(xué)藥品儲(chǔ)運(yùn)

(7)設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小

(8)運(yùn)行成本和維修成本低

(9)運(yùn)行操作簡(jiǎn)單，勞動(dòng)強(qiáng)度低